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À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSU
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSU
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF888DSU
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 104V 21DB SOT539B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLF888DSU

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS
Fréquence 860MHz
Gain 21dB
Tension - essai 50V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.3A
Puissance de sortie 250W
Tension - évaluée 104V
Paquet/cas SOT539B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF888DSU

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSUPuce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF888DSU

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