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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF2324M8LS200PU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF2324M8LS200PU

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF2324M8LS200PU
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF2324M8LS200PU
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BLF2324M8LS200PU
Fabricant:
Ampleon USA Inc.
Description:
FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B de RF
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Introduction au projet

Caractéristiques de BLF2324M8LS200PU

Statut de partie Actif
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 2.3GHz | 2.4GHz
Gain 17.2dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.74A
Puissance de sortie 60W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT539B
Paquet de dispositif de fournisseur SOT539B
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF2324M8LS200PU

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable
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