Transistor MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP de transistors de FET de thyristors de diodes de transistor à effet de champ AO6802
Transistor MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 de transistors de FET de thyristors de diodes de transistor à effet de champ d'AO3407A
- L'AO6802 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM.
Numéro de la pièce interne | AO6802 | |
Statut sans plomb/statut de RoHS | Sans plomb/RoHS conforme | |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) | |
Statut de production (cycle de vie) | Dans la production | |
Condition | Nouveau et inutilisé, original scellé | |
D'autres documents connexes | Politique de vert d'AOS | |
D'autres dessins | Dessus de la série 6-TSOP d'AO6xxx Extrémité de la série 6-TSOP d'AO6xxx Côté de la série 6-TSOP d'AO6xxx |
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Forfait standard | 3 000 | |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets | |
Famille | FETs - rangées | |
Série | - | |
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
Type de FET | N-canal 2 (double) | |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique | |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 3.5A | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 50 mOhm @ 3.5A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds | 210pF @ 15V | |
Puissance - maximum | 1.15W | |
Montage du type | Bâti extérieur | |
Paquet/cas | SC-74, SOT-457 | |
Paquet de dispositif de fournisseur | 6-TSOP | |
Poids | 0,001 KILOGRAMMES | |
Application | Email pour des détails | |
Partie alternative (remplacement) | AO6802 | |
Liens relatifs | AO6, AO6802 fiche technique, distributeur d'Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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