Puce de transistor MOSFET de transistor à effet de champ de puissance d'IRFS3207Z 75V 170A pour la protection de circuit
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Modèle de produit:
IRFS3207ZTRRPBF
Paquet de fournisseur:
TO-263-3
Brève description:
N-Channel75V 170A
Catégorie de produit:
FET - Simple
Domaines d'application:
Puce de protection de circuit
Date de fabrication:
D'ici un an
Surligner:
Transistor à effet de champ de puissance
,Transistor à effet de champ 170A
,Puce 75V de transistor MOSFET
Introduction au projet
Transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance d'IRFS3207Z Chip Circuit Protection 75V 170A
Description
- Transistor MOSFET simple de puissance du N-canal HEXFET de la puissance MOSFT 75V 170A 4.1mOhm dans un paquet de D2-Pak
Caractéristiques
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Infineon | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 75 V | |
| 170 A | |
| 4,1 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 4 V | |
| 170 OR | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 300 W | |
| Amélioration | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| MouseReel | |
| Marque : | Infineon Technologies |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 68 NS |
| Transconductance en avant - minute : | 280 S |
| Taille : | 4,4 millimètres |
| Longueur : | 10 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 68 NS |
| 800 | |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | 1 N-canal |
| Largeur : | 9,25 millimètres |
| Partie # noms d'emprunt : | IRFS3207ZTRRPBF SP001565050 |
| Poids spécifique : | 0,139332 onces |
Application
- Rectification synchrone de rendement élevé dans SMPS
- Alimentation d'énergie non interruptible
- Commutation à grande vitesse de puissance
- Circuits dur commutés et à haute fréquence
Avantages
- Porte améliorée, avalanche et rugosité dynamique de dv/dt
- Capacité entièrement caractérisée et avalanche SOA
- Diode augmentée dV/dt de corps et capacité de dI/dt
- Sans plomb
- RoHS conforme, sans halogène
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
Processus d'ordre
| Ajoutez les pièces à la forme de RFQ | Soumettez le RFQ | Nous répondons d'ici 24 heures |
| Vous confirmez l'ordre | Paiement | Bateau votre ordre |
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|
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Chip Diagram
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Nombre de pièces:
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