Les semi-conducteurs actionnent la Manche STB24N60DM2 du transistor N de transistor MOSFET
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Modèle de produit:
STB24N60DM2
Paquet de fournisseur:
TO-263-3
Brève description:
MOSFET
Polarité des transistors:
Canal N
Domaines d'application:
Changer d'application
Date de fabrication:
D'ici un an
Surligner:
Transistor de transistor MOSFET de puissance de semi-conducteurs
,La Manche du transistor N de transistor MOSFET de puissance
,STB24N60DM2
Introduction au projet
Gamme de produits
- Les semi-conducteurs STB24N60DM2 actionnent le transistor à effet de champ de transistors de transistor MOSFET discret N-canal
- N-canal 600 V, 0,13 types de Ω., 21 transistors MOSFET d'une puissance de MDmesh™ DM2 dans le ² PAK de D, paquets TO-220 et TO-247
Caractéristiques d'appli
- Caractéristiques
- diode de corps de Rapide-récupération
- Extrêmement - basses charge de porte et capacité d'entrée
- Basse sur-résistance
- l'avalanche 100% a examiné
- Rugosité extrêmement élevée de dv/dt
- Zener-protégé
- Description
- Ces transistors MOSFET à haute tension de puissance de N-canal font partie de la série rapide de diode de récupération de MDmesh™ DM2. Ils offrent la charge très basse de récupération (Qrr) et l'heure (trr) combinée avec le bas RDS (dessus), les rendant appropriées pour les convertisseurs les plus exigeants et l'idéal de rendement élevé pour des convertisseurs de topologies de pont et de déphasage de ZVS.
Données de base
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 600 V | |
| 18 A | |
| 200 mOhms | |
| - 25 V, + 25 V | |
| 4 V | |
| 29 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| Amélioration | |
| FDmesh | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| Bobine | |
| Marque : | STMicroelectronics |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 15 NS |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 8,7 NS |
| Série : | STB24N60DM2 |
| 1000 | |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Temps de retard d'arrêt typique : | 60 NS |
| Temps de retard d'ouverture typique : | 15 NS |
| Poids spécifique : | 0,139332 onces |
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
Application
- Applications de changement
- Moteurs de BLDC
- Moteurs synchrones à un aimant permanent triphasés
- Inverseurs
- Demi conducteurs de pont
- Systèmes de contrôle robotiques
- Appareils
- Infrastructure de grille
- EPOS • Theate à la maison
- Systèmes répartis d'alimentation
- Communications/infrastructure de mise en réseau
Processus d'ordre
| Ajoutez les pièces à la forme de RFQ | Soumettez le RFQ | Nous répondons d'ici 24 heures |
| Vous confirmez l'ordre | Paiement | Bateau votre ordre |
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| Microcontrôleurs-MCU | ||||
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Chip Diagram
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable