Bericht versturen
Vraag een offerte aan |
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Alle producten

IC's voor geïntegreerde schakelingen

(7037)

Geheugen IC-chip

(2998)

Analoge Isolator IC

(2527)

Microcontrollers en Ingebedde Bewerkers

(5000)

Veldeffecttransistor

(1833)

IGBT-voedingsmodule

(1002)

Diodetriode

(303)

Algemeen Doelcondensator

(41)

Connectors Interconnects

(83)

SMD-Machtsinductor

(100)

Relaiscomponent

(203)

De Zekeringen van de kringsbescherming

(195)
Ik ben online Chatten Nu

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays
NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Grote Afbeelding :  NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000
Contact

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

beschrijving
Artikelnummer: NTJD1155LT1G Fabrikant: OP Halfgeleider
Beschrijving: MOSFET n/p-CH 8V 1.3A dronkaard-363 Categorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Series
Familie: Transistors - FETs, MOSFETs - Series

NTJD1155LT1G Specifications

Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 400mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

NTJD1155LT1G Packaging

Detection

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

label:

FET Gebiedseffect Transistor,

Machtsmosfet Transistor,

Mosfet het Effect van het Spaander75vpower Gebied Transistor

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)

Over

IC's voor geïntegreerde schakelingen

Van de cipreshalfgeleider ICS USB de Monolithische Kring Van geïntegreerde schakelingen 48TQFP CY7C65632-48AXC

Van het batterijbeheer de Spaander van de de Brandstofmaat ICS Ti van Van geïntegreerde schakelingen BQ20Z65DBTR-R1

De Controlemechanismenbestuurders IRL IR2110STRPBF van SMD/SMT-ICs Ontsteking van de Van geïntegreerde schakelingen

STM32F405RGT6 Microcontrollers en Ingebedde Bewerkersmcu St 1024 FLITS

STM32F407VET6 geïntegreerde schakelingen ICs

MCU Ingebedde Bewerkers & Controlemechanismen STM32F103RCT6

LAAT BERICHT ACHTER

Privacybeleid | China Goed Kwaliteit IC's voor geïntegreerde schakelingen Leverancier. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.