Bericht versturen
Thuis > producten > Veldeffecttransistor > Sia519edj-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

Sia519edj-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

Categorie:
Veldeffecttransistor
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
Sia519edj-t1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Beschrijving:
MOSFET n/p-CH 20V 4.5A sc70-6
Categorie:
Transistors - FETs, MOSFETs - Series
Familie:
Transistors - FETs, MOSFETs - Series
Reeks:
TrenchFET®
Inleiding

Sia519edj-t1-GE3 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N en P-Channel
FET Eigenschap De Poort van het logicaniveau
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 4.5A
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1.4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 350pF @ 10V
Maximum macht - 7.8W
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Pakket/Geval Dubbele PowerPAK® Sc-70-6
Het Pakket van het leveranciersapparaat Dubbele PowerPAK® Sc-70-6
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Sia519edj-t1-GE3 Verpakking

Opsporing

Sia519edj-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs SeriesSia519edj-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs SeriesSia519edj-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs SeriesSia519edj-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable