Sia519edj-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors MOSFETs Series
Specificaties
Artikelnummer:
Sia519edj-t1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Beschrijving:
MOSFET n/p-CH 20V 4.5A sc70-6
Categorie:
Transistors - FETs, MOSFETs - Series
Familie:
Transistors - FETs, MOSFETs - Series
Reeks:
TrenchFET®
Inleiding
Sia519edj-t1-GE3 Specificaties
Deelstatus | Actief |
---|---|
FET Type | N en P-Channel |
FET Eigenschap | De Poort van het logicaniveau |
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) | 20V |
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C | 4.5A |
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart | 1.4V @ 250µA |
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds | 350pF @ 10V |
Maximum macht - | 7.8W |
Werkende Temperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Opzettend Type | De oppervlakte zet op |
Pakket/Geval | Dubbele PowerPAK® Sc-70-6 |
Het Pakket van het leveranciersapparaat | Dubbele PowerPAK® Sc-70-6 |
Verzending | UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk. |
Voorwaarde | Nieuwe originele fabriek. |
Sia519edj-t1-GE3 Verpakking
Opsporing
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable