Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Si1443edh-t1-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET p-CH 30V 4A dronkaard-363 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: TrenchFET®

Si1443edh-t1-GE3 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type P-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 4A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds -
(Maximum) Vgs ±12V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 54 mOhm @ 4.3A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat Dronkaard-363
Pakket/Geval 6-TSSOP, SC-88, DRONKAARD-363
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Si1443edh-t1-GE3 Verpakking

Opsporing

Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Si1443edh-t1-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)