Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SSM6K211FE, ALS Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSFET n-CH 20V 3.2A ES6 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: U-MOSIII

SSM6K211FE, ALS Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 3.2A (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 510pF @ 10V
(Maximum) Vgs ±10V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 500mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 47 mOhm @ 2A, 4.5V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat ES6 (1.6x1.6)
Pakket/Geval DRONKAARD-563, DRONKAARD-666
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SSM6K211FE, ALS Verpakking

Opsporing

SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SSM6K211FE, ALS Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)