Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SSM3J16CT (TPL3) Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSFET p-CH 20V 0.1A CST3 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: π-MOSVI

SSM3J16CT (TPL3) Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type P-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 100mA (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1.1V @ 100µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs -
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 11pF @ 3V
(Maximum) Vgs ±10V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 100mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 8 ohm @ 10mA, 4V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat CST3
Pakket/Geval SC-101, DRONKAARD-883
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SSM3J16CT (TPL3) Verpakkend

Opsporing

SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SSM3J16CT (TPL3) Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)