Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: RSU002P03T106 Fabrikant: Rohm Halfgeleider
Beschrijving: MOSFET p-CH 30V 0.25A dronkaard-323 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

RSU002P03T106 specificaties

Deelstatus Niet voor Nieuwe Ontwerpen
FET Type P-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 250mA (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.5V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs -
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 30pF @ 10V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 200mW (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1,4 Ohm @ 250mA, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat UMT3
Pakket/Geval SC-70, DRONKAARD-323
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

RSU002P03T106 verpakking

Opsporing

RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2RSU002P03T106 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)