Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: PSMN027-100BS, 118 Fabrikant: Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 37A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

PSMN027-100BS, 118 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 37A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1624pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 103W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 26.8 mOhm @ 15A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PSMN027-100BS, 118 die verpakken

Opsporing

PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2PSMN027-100BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)