Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP75N3LLH6 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 30V 75A aan-220AB Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DeepGATE™, STripFET™ VI

STP75N3LLH6 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 75A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 23.8nC @ 4.5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2030pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 60W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 5.9 mOhm @ 37.5A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP75N3LLH6 verpakking

Opsporing

STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP75N3LLH6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)