Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFR210PBF Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 200V 2.6A DPAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

IRFR210PBF specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 200V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 2.6A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 140pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1,5 Ohm @ 1.6A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D-Pak
Pakket/Geval Aan-252-3, DPak (2 Lood + Lusje), Sc-63
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFR210PBF verpakking

Opsporing

IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFR210PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)