Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STU8NM50N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 500V 5A IPAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STU8NM50N specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 500V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 5A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 364pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 45W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 790 mOhm @ 2.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I-Pak
Pakket/Geval Aan-251-3 korte Lood, IPak, aan-251AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STU8NM50N verpakking

Opsporing

STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STU8NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)