Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB8NM60D Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 8A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™

STB8NM60D specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 8A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 380pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 100W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1 ohm @ 2.5A, 10V
Werkende Temperatuur -65°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB8NM60D verpakking

Opsporing

STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB8NM60D gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)