Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: PSMN3R4-30PL, 127 Fabrikant: Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving: MOSFET N-CH 30V TO220AB Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

PSMN3R4-30PL, 127 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 100A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.15V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 64nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 3907pF @ 12V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 114W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3.4 mOhm @ 10A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PSMN3R4-30PL, 127 die verpakken

Opsporing

PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2PSMN3R4-30PL, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)