Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFU1205PBF Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 55V 44A I-PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: HEXFET®

IRFU1205PBF specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 55V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 44A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 107W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 27 mOhm @ 26A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat IPAK (AAN-251)
Pakket/Geval Aan-251-3 korte Lood, IPak, aan-251AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFU1205PBF verpakking

Opsporing

IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFU1205PBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)