Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP15NM65N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 12A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STP15NM65N specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 12A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 983pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 125W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP15NM65N verpakking

Opsporing

STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP15NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)