Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: PSMN7R0-100PS, 127 Fabrikant: Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 100A TO220AB Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

PSMN7R0-100PS, 127 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 100A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 125nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6686pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 269W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 12 mOhm @ 15A, 10V
Werkende Temperatuur -
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PSMN7R0-100PS, 127 die verpakken

Opsporing

PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2PSMN7R0-100PS, 127 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)