Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STI14NM50N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET N CH 500V 12A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STI14NM50N specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 500V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 12A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 100µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 816pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 90W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 320 mOhm @ 6A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STI14NM50N verpakking

Opsporing

STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STI14NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)