Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STL9P2UH7 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET p-CH 20V 9A POWERFLAT Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™

STL9P2UH7 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type P-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 20V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 9A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2390pF @ 16V
(Maximum) Vgs ±8V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 2.9W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pakket/Geval 8-PowerVDFN
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STL9P2UH7 verpakking

Opsporing

STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STL9P2UH7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)