Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: NVTFS5811NLTAG Fabrikant: OP Halfgeleider
Beschrijving: MOSFET n-CH 40V 40A 8WDFN Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

NVTFS5811NLTAG specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 40V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 16A (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.2V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1570pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 6.7 mOhm @ 20A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat 8-WDFN (3.3x3.3)
Pakket/Geval 8-PowerWDFN
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

NVTFS5811NLTAG verpakking

Opsporing

NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2NVTFS5811NLTAG gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)