Bericht versturen
Thuis > producten > Veldeffecttransistor > PSMN050-80BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN050-80BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Categorie:
Veldeffecttransistor
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Beschrijving:
MOSFET n-CH 80V 22A D2PAK
Artikelnummer:
PSMN050-80BS, 118
Fabrikant:
Inc. van de Nexperiav.s.
Categorie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Inleiding

PSMN050-80BS, 118 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 80V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 22A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 633pF @ 12V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 56W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 46 mOhm @ 10A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PSMN050-80BS, 118 die verpakken

Opsporing

PSMN050-80BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsPSMN050-80BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsPSMN050-80BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsPSMN050-80BS, 118 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable