Bericht versturen
Thuis > producten > Veldeffecttransistor > PSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

PSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Categorie:
Veldeffecttransistor
Prijs:
Negotiable
Betalingswijze:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specificaties
Artikelnummer:
PSMN1R5-30YL, 115
Fabrikant:
Inc. van de Nexperiav.s.
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V LFPAK
Categorie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie:
De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Inleiding

PSMN1R5-30YL, 115 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 100A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 2.15V @ 1mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 77.9nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 5057pF @ 12V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 109W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1.5 mOhm @ 15A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat LFPAK56, macht-SO8
Pakket/Geval SC-100, DRONKAARD-669
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

PSMN1R5-30YL, 115 die verpakken

Opsporing

PSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsPSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsPSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETsPSMN1R5-30YL, 115 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Negotiable