Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFS41N15DPBF Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 150V 41A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: HEXFET®

IRFS41N15DPBF specificaties

Deelstatus Niet voor Nieuwe Ontwerpen
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 150V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 41A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2520pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 3.1W (Ta)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 45 mOhm @ 25A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFS41N15DPBF verpakking

Opsporing

IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFS41N15DPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)