Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP180N55F3 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 55V 120A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™

STP180N55F3 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 55V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 100nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6800pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 330W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 3.8 mOhm @ 60A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP180N55F3 verpakking

Opsporing

STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP180N55F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)