Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STF20NM65N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 15A aan-220FP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STF20NM65N specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 15A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 44nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1280pF @ 50V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 30W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 270 mOhm @ 7.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220FP
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STF20NM65N verpakking

Opsporing

STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STF20NM65N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)