Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STB12NM50T4 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 550V 12A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™

STB12NM50T4 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 550V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 12A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 50µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 39nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1000pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 160W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 350 mOhm @ 6A, 10V
Werkende Temperatuur -65°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D2PAK
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STB12NM50T4 verpakking

Opsporing

STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STB12NM50T4 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)