Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Stb80nf03l-04-1 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 30V 80A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™ II

Stb80nf03l-04-1 specificaties

Deelstatus Verouderd
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 30V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 80A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 1V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 110nC @ 4.5V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 5500pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 300W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 4 mOhm @ 40A, 10V
Werkende Temperatuur -60°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Stb80nf03l-04-1 verpakking

Opsporing

Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Stb80nf03l-04-1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)