Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STW19NM60N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 13A aan-247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STW19NM60N specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 13A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1000pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 110W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 285 mOhm @ 6.5A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STW19NM60N verpakking

Opsporing

STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STW19NM60N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)