Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STP140N8F7 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 80V 90A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DeepGATE™, STripFET™ VII

STP140N8F7 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 80V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 90A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 96nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6340pF @ 40V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 200W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 4.3 mOhm @ 45A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STP140N8F7 verpakking

Opsporing

STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STP140N8F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)