Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFSL11N50APBF Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 500V 11A aan-262 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

IRFSL11N50APBF specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 500V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 11A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 51nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1426pF @ 25V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 190W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 550 mOhm @ 6.6A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-262-3
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFSL11N50APBF verpakking

Opsporing

IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFSL11N50APBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)