Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STI21N65M5 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 17A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ V

STI21N65M5 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 17A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1950pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 125W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 179 mOhm @ 8.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STI21N65M5 verpakking

Opsporing

STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STI21N65M5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)