Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STFI13N60M2 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET N-CH 600V I2PAK-VRIESPUNT Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II plus

STFI13N60M2 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 11A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 580pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 25W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAKFP (AAN-281)
Pakket/Geval Aan-262-3 volledig Pak, I ² Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STFI13N60M2 verpakking

Opsporing

STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STFI13N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)