Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: FCP16N60 Fabrikant: Fairchild/ON Halfgeleider
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 16A aan-220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: SuperFET™

FCP16N60 specificaties

Deelstatus Niet voor Nieuwe Ontwerpen
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 16A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2250pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 167W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 260 mOhm @ 8A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220-3
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

FCP16N60 verpakking

Opsporing

FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2FCP16N60 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)