Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STF45N10F7 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 30A aan-220FP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DeepGATE™, STripFET™ VII

STF45N10F7 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 30A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1640pF @ 50V
(Maximum) Vgs 20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 25W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 18 mOhm @ 15A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220FP
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STF45N10F7 verpakking

Opsporing

STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STF45N10F7 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)