Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IRFB3207ZGPBF Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 75V 120A aan-220AB Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: HEXFET®

IRFB3207ZGPBF specificaties

Deelstatus Niet voor Nieuwe Ontwerpen
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 75V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 150µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6920pF @ 50V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 300W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 4.1 mOhm @ 75A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IRFB3207ZGPBF verpakking

Opsporing

IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IRFB3207ZGPBF gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)