Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IPW50R250CP Fabrikant: Infineon-technologieën
Beschrijving: MOSFET n-CH 500V 13A aan-247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: CoolMOS™

IPW50R250CP specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 500V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 13A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3.5V @ 520µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1420pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 114W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 250 mOhm @ 7.8A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-to247-3
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IPW50R250CP verpakking

Opsporing

IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IPW50R250CP gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)