Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: TK17E65W, S1X Fabrikant: De Halfgeleider en de Opslag van Toshiba
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 17.3A aan-220AB Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DTMOSIV

TK17E65W, S1X-Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 17.3A (Ta)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3.5V @ 900µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1800pF @ 300V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 165W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 200 mOhm @ 8.7A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

TK17E65W, S1X-Verpakking

Opsporing

TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2TK17E65W, S1X-Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)