Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: IPA65R099C6XKSA1 Fabrikant: Infineon Technologies
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 38A TO220 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: CoolMOS™

IPA65R099C6XKSA1 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 38A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3.5V @ 1.2mA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 127nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2780pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 35W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Pg-TO220 Volledig Pak
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

IPA65R099C6XKSA1 verpakking

Opsporing

IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2IPA65R099C6XKSA1 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)