Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STFI28N60M2 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 22A i2pak-vriespunt Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II plus

STFI28N60M2 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 22A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1440pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 30W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 150 mOhm @ 11A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAKFP (AAN-281)
Pakket/Geval Aan-262-3 volledig Pak, I ² Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STFI28N60M2 verpakking

Opsporing

STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STFI28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)