Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STF28NM50N Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 500V 21A aan-220FP Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II

STF28NM50N specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 500V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 21A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1735pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 35W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 158 mOhm @ 10.5A, 10V
Werkende Temperatuur 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220FP
Pakket/Geval Aan-220-3 volledig Pak
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STF28NM50N verpakking

Opsporing

STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STF28NM50N gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)