Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STI360N4F6 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 40V 120A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: DeepGATE™, STripFET™ VI

STI360N4F6 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 40V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 120A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4.5V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 340nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 17930pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 300W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1.8 mOhm @ 60A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK (AAN-262)
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STI360N4F6 verpakking

Opsporing

STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STI360N4F6 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)