Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SIHB21N65EF-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 650V 21A D2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

SIHB21N65EF-GE3 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 650V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 21A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 106nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 2322pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 208W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat D ² PAK (AAN-263)
Pakket/Geval Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SIHB21N65EF-GE3 verpakking

Opsporing

SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SIHB21N65EF-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)