Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STW28N60M2 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 24A aan-247 Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: MDmesh™ II plus

STW28N60M2 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 24A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 37nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1370pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±25V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 170W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 150 mOhm @ 12A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STW28N60M2 verpakking

Opsporing

STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STW28N60M2 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)