Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STI270N4F3 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET n-CH 40V 120A I2PAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: STripFET™ III

STI270N4F3 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 40V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 160A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 150nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 7400pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 330W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 2.6 mOhm @ 80A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I2PAK
Pakket/Geval Aan-262-3 snak Lood, I ² Pak, aan-262AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STI270N4F3 verpakking

Opsporing

STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STI270N4F3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)