Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: SIHG22N60E-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 600V 21A TO247AC Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit

SIHG22N60E-GE3 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 600V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 21A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 86nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 1920pF @ 100V
(Maximum) Vgs -
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 227W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-247AC
Pakket/Geval Aan-247-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

SIHG22N60E-GE3 verpakking

Opsporing

SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2SIHG22N60E-GE3 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)