Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: Sup85n10-10-GE3 Fabrikant: Vishay Siliconix
Beschrijving: MOSFET n-CH 100V 85A TO220AB Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: TrenchFET®

Sup85n10-10-GE3 Specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 100V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 85A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 3V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 160nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 6550pF @ 25V
(Maximum) Vgs ±20V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 10.5 mOhm @ 30A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat Aan-220AB
Pakket/Geval Aan-220-3
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

Sup85n10-10-GE3 Verpakking

Opsporing

Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2Sup85n10-10-GE3 Gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)