Bericht versturen
Thuis ProductenVeldeffecttransistor

STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Ik ben online Chatten Nu

STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs
STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Grote Afbeelding :  STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

Productdetails:
Plaats van herkomst: Origineel
Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:
Min. bestelaantal: Overeen te komen
Prijs: Negotiable
Levertijd: Overeen te komen
Betalingscondities: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Levering vermogen: 100000

STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs

beschrijving
Artikelnummer: STU7N80K5 Fabrikant: STMicroelectronics
Beschrijving: MOSFET N CH 800V 6A IPAK Categorie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit
Familie: De transistors - FETs, MOSFETs - kiezen uit Reeks: SuperMESH5™

STU7N80K5 specificaties

Deelstatus Actief
FET Type N-Channel
Technologie MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss) 800V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C 6A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart 5V @ 100µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs 13.4nC @ 10V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds 360pF @ 100V
(Maximum) Vgs ±30V
FET Eigenschap -
(Maximum) machtsdissipatie 110W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs 1,2 Ohm @ 3A, 10V
Werkende Temperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Opzettend Type Door Gat
Het Pakket van het leveranciersapparaat I-Pak
Pakket/Geval Aan-251-3 korte Lood, IPak, aan-251AA
Verzending UPS/EMS/DHL/FedEx Uitdrukkelijk.
Voorwaarde Nieuwe originele fabriek.

STU7N80K5 verpakking

Opsporing

STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 0STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 1STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 2STU7N80K5 gebiedseffect FETs van Transistortransistors Enig MOSFETs 3

Contactgegevens
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Contactpersoon: Darek

Tel.: +8615017926135

Direct Stuur uw aanvraag naar ons (0 / 3000)